BSM180C12P2E202
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
НОВА часть #:
312-2278788-BSM180C12P2E202
Производитель:
Номер детали производителя:
BSM180C12P2E202
Стандартный пакет:
4
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Module | |
| Базовый номер продукта | BSM180 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 204A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 35.2mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | Module | |
| VGS (макс.) | +22V, -6V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 20000 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1360W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSM600C12P3G201Rohm Semiconductor
APTM100UM45DAGMicrochip Technology
BSM400C12P3G202Rohm Semiconductor
BSM300D12P2E001Rohm Semiconductor