APTM100UM45DAG
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
НОВА часть #:
312-2265054-APTM100UM45DAG
Производитель:
Номер детали производителя:
APTM100UM45DAG
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 1000 V 215A (Tc) 5000W (Tc) Chassis Mount SP6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SP6 | |
| Базовый номер продукта | APTM100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | POWER MOS 7® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 215A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 107.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 30mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1602 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SP6 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 42700 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5000W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BSM600C12P3G201Rohm Semiconductor
- APTM120UM70FAGMicrochip Technology
- FDL100N50Fonsemi
- BSM180C12P2E202Rohm Semiconductor
- APTM100UM65SAGMicrochip Technology
- APTM100UM45FAGMicrochip Technology
- BSM400C12P3G202Rohm Semiconductor
- MSC130SM120JCU3Microchip Technology








