SIA471DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
НОВА часть #:
312-2272460-SIA471DJ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIA471DJ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SIA471 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 27.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-70-6 | |
| VGS (макс.) | +16V, -20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1170 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) | |
| Другие имена | SIA471DJ-T1-GE3CT SIA471DJ-T1-GE3TR SIA471DJ-T1-GE3DKR |
In stock Нужно больше?
0,50910 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIA462DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
VLMB1310-GS08Vishay Semiconductor Opto Division
SN74LVC1G08IDCKRQ1Texas Instruments- SIA449DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA469DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ0703LSATMA1Infineon Technologies- SIA441DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
PMEG4005CEJXNexperia USA Inc.