IRF3205STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288485-IRF3205STRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF3205STRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | IRF3205 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 62A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 146 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3247 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200W (Tc) | |
| Другие имена | IRF3205STRLPBF-ND SP001576758 IRF3205STRLPBFTR IRF3205STRLPBFDKR IRF3205STRLPBFCT |
In stock Нужно больше?
0,88780 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRF5305STRLPBFInfineon Technologies
CD4070BM96Texas Instruments
BUK969R0-60E,118Nexperia USA Inc.- IRF640NSTRLPBFInfineon Technologies
IRF3205PBFInfineon Technologies- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
MURS120T3Gonsemi
9B-20.000MBBK-BTXC CORPORATION- IRF5305PBFInfineon Technologies
- IRF540NSTRLPBFInfineon Technologies
