IRF640NSTRLPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D2PAK
Базовый номер продукта	IRF640
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	18A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1160 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Другие имена	IRF640NSTRLPBF-ND SP001561810 IRF640NSTRLPBFTR 2156-IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBFCT IRF640NSTRLPBFDKR INFINFIRF640NSTRLPBF Q4322190Z