FDN336P
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
НОВА часть #:
312-2284535-FDN336P
Производитель:
Номер детали производителя:
FDN336P
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | FDN336 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 330 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | FDN336PCT FDN336PDKR ONSFSCFDN336P FDN336PTR 2156-FDN336P-OS FDN336PCT-NDR FDN336PTR-NDR |
In stock Нужно больше?
0,02730 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTJD4158CT1Gonsemi
NDS331Nonsemi- NTJD1155LT1Gonsemi
- SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
NTJD4152PT1Gonsemi- FDN5618Ponsemi
- FDN302Ponsemi
FDG6332Consemi
BSH205G2RNexperia USA Inc.
DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated- NTJD4001NT1Gonsemi
FPF2700MXonsemi
NTD5865NLT4Gonsemi- FDN338Ponsemi
