IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
НОВА часть #:
312-2263584-IRF6775MTRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF6775MTRPBF
Стандартный пакет:
4,800
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MZ | |
| Базовый номер продукта | IRF6775 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 5.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MZ | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1411 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Другие имена | IRF6775MTRPBFCT IRF6775MTRPBFDKR IRF6775MTRPBFTR SP001562042 IRF6775MTRPBF-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRF6668TRPBFInfineon Technologies
IRS20957STRPBFInfineon Technologies