SQJ211ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2288006-SQJ211ELP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ211ELP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 33.6A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Базовый номер продукта | SQJ211 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 33.6A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQJ211ELP-T1_GE3CT 742-SQJ211ELP-T1_GE3DKR 742-SQJ211ELP-T1_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQJ459EP-T1_GE3Vishay Siliconix
AM26C32IPWRTexas Instruments
SISS71DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ481EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SI7489DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SQJA81EP-T1_GE3Vishay Siliconix
2N7002NXAKRNexperia USA Inc.
NSVBSS63LT1Gonsemi
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
INA180A1IDBVRTexas Instruments- SQJ479EP-T1_GE3Vishay Siliconix
