SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2280527-SQJ479EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ479EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 80 V 32A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJ479 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 32A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | SQJ479EP-T1_GE3DKR SQJ479EP-T1_GE3TR SQJ479EP-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQJ459EP-T1_GE3Vishay Siliconix
NCP45560IMNTWG-Lonsemi
FSA4157L6Xonsemi
FDD9407L-F085onsemi- SQJA86EP-T1_GE3Vishay Siliconix
NDC7001Consemi
SBRD10200TRSMC Diode Solutions- SQJ469EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- FDC6305Nonsemi
- SQJ409EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix
FDG6306Ponsemi
FDMC5614Ponsemi
NCP301LSN27T1Gonsemi
NTGD3148NT1Gonsemi
