SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2282609-SI7489DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7489DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7489 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 28A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 7.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4600 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.2W (Ta), 83W (Tc) | |
| Другие имена | SI7489DP-T1-GE3DKR SI7489DP-T1-GE3TR SI7489DPT1GE3 SI7489DP-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN10H120SFG-7Diodes Incorporated
SZMM5Z3V9T1Gonsemi
SIR870DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ481EP-T1_GE3Vishay Siliconix
FSV20100Vonsemi- SI7469DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LTST-C190KAKTLite-On Inc.- MM5Z16VT1Gonsemi
PMEG3050EP,115Nexperia USA Inc.
CPC1014NTRIXYS Integrated Circuits Division- SI7465DP-T1-GE3Vishay Siliconix
AD8210WYRZAnalog Devices Inc.
