SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
НОВА часть #:
312-2282444-SIR681DP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR681DP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR681 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4850 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIR681DP-T1-RE3CT 742-SIR681DP-T1-RE3TR 742-SIR681DP-T1-RE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI7469ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
SI7469DP-T1-E3Vishay Siliconix
ATP304-TL-Honsemi
NTMFS5113PLT1Gonsemi
IXTA96P085T-TRLIXYS
NC7WZ14P6Xonsemi- SI7461DP-T1-E3Vishay Siliconix
- SI7469DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7489DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJA81EP-T1_GE3Vishay Siliconix- RS1L151ATTB1Rohm Semiconductor
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
NVMFS5113PLT1Gonsemi
SQJ479EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SI7461DP-T1-GE3Vishay Siliconix
