SI7155DP-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SI7155
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen III
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	31A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	330 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	12900 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Другие имена	SI7155DP-T1-GE3DKR SI7155DP-GE3 SI7155DP-T1-GE3CT SI7155DP-T1-GE3TR