SIDR104AEP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
НОВА часть #:
312-2268502-SIDR104AEP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIDR104AEP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

N-Channel 100 V 21.1A (Ta), 90.5A (Tc) 6.5W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8DC
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядTrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3250 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Другие имена742-SIDR104AEP-T1-RE3TR
742-SIDR104AEP-T1-RE3CT
742-SIDR104AEP-T1-RE3DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.