SIR876BDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
НОВА часть #:
312-2269370-SIR876BDP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR876BDP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3040 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 71.4W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIR876BDP-T1-RE3CT 742-SIR876BDP-T1-RE3TR 742-SIR876BDP-T1-RE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIR846BDP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIDR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SI7454FDP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies