NP100P06PDG-E1-AY

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263
Базовый номер продукта	NP100P06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	15000 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Другие имена	NP100P06PDG-E1-AY-ND 559-NP100P06PDG-E1-AYCT -1161-NP100P06PDG-E1-AYCT 559-NP100P06PDG-E1-AYTR 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!