IPB110P06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
НОВА часть #:
312-2298277-IPB110P06LMATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB110P06LMATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 | |
| Базовый номер продукта | IPB110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 5.55mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 281 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8500 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPB110P06LMATMA1TR SP004987252 448-IPB110P06LMATMA1CT IPB110P06LMATMA1-ND 448-IPB110P06LMATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ATP304-TL-Honsemi
SPB80P06PGATMA1Infineon Technologies
LTC6090IS8E#PBFAnalog Devices Inc.
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
M41T83ZMY6FSTMicroelectronics- SUM110P06-07L-E3Vishay Siliconix
- SQM110P06-8M9L_GE3Vishay Siliconix
- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- NP100P06PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
