SIHB105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
НОВА часть #:
312-2271508-SIHB105N60EF-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHB105N60EF-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | SIHB105 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | EF | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 29A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1804 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 208W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIHB105N60EF-GE3CTINACTIVE 742-SIHB105N60EF-GE3TR-ND 742-SIHB105N60EF-GE3DKRINACTIVE 742-SIHB105N60EF-GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FCP125N60EFairchild Semiconductor
FCB125N65S3onsemi
STB37N60DM2AGSTMicroelectronics
STB42N65M5STMicroelectronics
