FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
НОВА часть #:
312-2282786-FDMC86102LZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMC86102LZ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | FDMC86102 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7A (Ta), 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1290 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) | |
| Другие имена | FDMC86102LZDKR FDMC86102LZTR FDMC86102LZ-ND FDMC86102LZCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMC86102Lonsemi
NL27WZ07DFT2Gonsemi
FSA4157L6Xonsemi
FDMC8622onsemi
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
FDMC86102onsemi
NTJD4105CT2Gonsemi
NCP45540IMNTWG-Honsemi- NTJD4152PT1Gonsemi
FSA4157AP6Xonsemi- FDMC86139Ponsemi
NCP45524IMNTWG-Honsemi
FDN327Nonsemi- FDN352APonsemi
