RS1G150MNTB
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
НОВА часть #:
312-2274988-RS1G150MNTB
Производитель:
Номер детали производителя:
RS1G150MNTB
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 15A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-HSOP | |
| Базовый номер продукта | RS1G | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 15A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 930 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 25W (Tc) | |
| Другие имена | RS1G150MNTBDKR RS1G150MNTBCT RS1G150MNTBTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CSD18504Q5ATexas Instruments
BZT52-C16XNexperia USA Inc.
DMNH6012SPSQ-13Diodes Incorporated
LM7805S/NOPBTexas Instruments
M95010-WDW6TPSTMicroelectronics
BSS123-7-FDiodes Incorporated
CUS520,H3FToshiba Semiconductor and Storage- BZT52-C43JNexperia USA Inc.
IRF7509TRPBFInfineon Technologies
2N7002KT1Gonsemi
CSD18537NQ5ATexas Instruments