FDMC8622
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
НОВА часть #:
312-2282388-FDMC8622
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMC8622
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 4A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | FDMC86 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta), 16A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 402 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 31W (Tc) | |
| Другие имена | FDMC8622DKR FDMC8622-ND FDMC8622CT FDMC8622TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MCP6N11T-100E/MNYMicrochip Technology
SMBJ5357B-TPMicro Commercial Co
FDMC86139Ponsemi
CMR1U-02M TR13 PBFREECentral Semiconductor Corp
FDMQ8205onsemi
MMSZ5240B-7-FDiodes Incorporated
US1B-13-FDiodes Incorporated
