SIJH112E-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
НОВА часть #:
312-2279785-SIJH112E-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIJH112E-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,000
N-Channel 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Базовый номер продукта | SIJH112 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 23A (Ta), 225A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8050 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.3W (Ta), 333W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIJH112E-T1-GE3DKR 742-SIJH112E-T1-GE3TR 742-SIJH112E-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AD8602ARZAnalog Devices Inc.
BZT52-C11JNexperia USA Inc.
ISC027N10NM6ATMA1Infineon Technologies
TPS2051ADTexas Instruments
MMSD4148T1Gonsemi
SIR680ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
PCR1J680MCL1GSNichicon
BSS138WH6433XTMA1Infineon Technologies
A768EB826M1ELAE036KEMET
BAV99RWT1Gonsemi
74HC1G08GV,125Nexperia USA Inc.
IPTC015N10NM5ATMA1Infineon Technologies
