SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
НОВА часть #:
312-2264847-SI2304DDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2304DDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2304 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 235 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) | |
| Другие имена | SI2304DDST1GE3 SI2304DDS-T1-GE3DKR SI2304DDS-T1-GE3TR SI2304DDS-T1-GE3-ND SI2304DDS-T1-GE3CT |
In stock Нужно больше?
0,08740 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TC7SZ04F,LJ(CTToshiba Semiconductor and Storage
OPA342NA/250Texas Instruments
CD4047BMTexas Instruments
AOSS21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.
BSS84MDD
G2304Goford Semiconductor
DMG3418L-7Diodes Incorporated
ZXMP7A17GQTADiodes Incorporated
MMBF0201NLT1Gonsemi
