NTTFS008P03P8Z
MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2288473-NTTFS008P03P8Z
Производитель:
Номер детали производителя:
NTTFS008P03P8Z
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NTTFS008 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 22A (Ta), 96A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 134 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5600 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.36W (Ta), 50W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTTFS008P03P8ZCT 488-NTTFS008P03P8ZDKR 488-NTTFS008P03P8ZTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC030N08NS5ATMA1Infineon Technologies
NTTFS015P03P8ZTWGonsemi
CSD17304Q3Texas Instruments- BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon Technologies
DMP34M4SPS-13Diodes Incorporated
BSS138LT3Gonsemi
IRF9383MTRPBFInfineon Technologies
MMBT2222ALT1Gonsemi
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon Technologies
SIZ918DT-T1-GE3Vishay Siliconix
