DMN4020LFDE-7
MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
НОВА часть #:
312-2275777-DMN4020LFDE-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN4020LFDE-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 8A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | U-DFN2020-6 (Type E) | |
| Базовый номер продукта | DMN4020 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19.1 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-PowerUDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1060 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 660mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN4020LFDE-7DIDKR DMN4020LFDE-7DICT DMN4020LFDE-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AON2260Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMN3016LFDE-7Diodes Incorporated
DMT6009LSS-13Diodes Incorporated
DMN6068SE-13Diodes Incorporated- DMP4047LFDE-7Diodes Incorporated
BUK9D23-40EXNexperia USA Inc.
SN74LVC00APWRG4Texas Instruments
