DMT6009LSS-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2

НОВА часть #:

312-2263249-DMT6009LSS-13

Производитель:

Номер детали производителя:

DMT6009LSS-13

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 60 V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Базовый номер продукта	DMT6009
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	33.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1925 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.25W (Ta)
Другие имена	DMT6009LSS-13DITR DMT6009LSS-13DIDKR DMT6009LSS-13DICT