SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2275011-SI7119DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7119DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7119 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 666 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Другие имена | SI7119DN-T1-GE3CT SI7119DN-T1-GE3DKR SI7119DN-T1-GE3TR SI7119DNT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PXP400-100QSJNexperia USA Inc.
SI7317DN-T1-GE3Vishay Siliconix
XB3-24Z8CM-JDigi
SI2337DS-T1-E3Vishay Siliconix- SI7619DN-T1-GE3Vishay Siliconix
DMP4025SFGQ-13Diodes Incorporated
ZXMP2120FFTADiodes Incorporated
SI7431DP-T1-E3Vishay Siliconix- SI7119DN-T1-E3Vishay Siliconix
- SI7309DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SUD50P06-15-GE3Vishay Siliconix- ZXTP19100CFFTADiodes Incorporated
