SI7431DP-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2298003-SI7431DP-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7431DP-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 200 V 2.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7431 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 174mOhm @ 3.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.9W (Ta) | |
| Другие имена | SI7431DP-T1-E3DKR SI7431DP-T1-E3CT SI7431DP-T1-E3TR SI7431DPT1E3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI7431DP-T1-GE3Vishay Siliconix
MMSZ15T1Gonsemi
SI7317DN-T1-GE3Vishay Siliconix
IPP084N06L3GXKSA1Infineon Technologies
SQJ469EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SI7439DP-T1-E3Vishay Siliconix
- SQJ431EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SIR873DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ431AEP-T1_GE3Vishay Siliconix- SI7119DN-T1-GE3Vishay Siliconix
IPN60R360P7SATMA1Infineon Technologies
