SI7309DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2287686-SI7309DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7309DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7309 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 3.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 600 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI7309DN-T1-GE3TR SI7309DN-T1-GE3-ND SI7309DNT1GE3 SI7309DN-T1-GE3CT SI7309DN-T1-GE3DKR |
In stock Нужно больше?
1,21390 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
2N7002K-7Diodes Incorporated
PMEG060V100EPDZNexperia USA Inc.
MM3Z12VST1Gonsemi
SML-LX0402SUGC-TRLumex Opto/Components Inc.
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.
SQS401ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
ALT4532M-171-T001TDK Corporation
SI7119DN-T1-GE3Vishay Siliconix- SQ7415AENW-T1_GE3Vishay Siliconix
FDMC5614Ponsemi
