FDS5672

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

НОВА часть #:

312-2282678-FDS5672

Производитель:

Номер детали производителя:

FDS5672

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	FDS56
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2200 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta)
Другие имена	FDS5672-ND FDS5672TR 2156-FDS5672-OS FDS5672DKR FAIFSCFDS5672 FDS5672CT