IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
НОВА часть #:
312-2282477-IPC100N04S51R2ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPC100N04S51R2ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-34 | |
| Базовый номер продукта | IPC100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.4V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 131 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7650 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | SP001262620 IPC100N04S51R2ATMA1DKR IPC100N04S51R2ATMA1TR IPC100N04S51R2ATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MCP2562FD-E/MFMicrochip Technology
IPC100N04S51R9ATMA1Infineon Technologies
BSP772TXUMA1Infineon Technologies
FT2232H-56Q-TRAYFTDI, Future Technology Devices International Ltd
IPC50N04S5L5R5ATMA1Infineon Technologies
DRV8305NEPHPQ1Texas Instruments
PCF85176H/1,518NXP USA Inc.
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies- IPC100N04S51R7ATMA1Infineon Technologies
NVMYS2D9N04CLTWGonsemi- IPC100N04S52R8ATMA1Infineon Technologies
BSS83PH6327XTSA1Infineon Technologies- IPC100N04S5L1R1ATMA1Infineon Technologies
