NVMYS2D9N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
НОВА часть #:
312-2301977-NVMYS2D9N04CLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMYS2D9N04CLTWG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3.7W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK4 (5x6) | |
| Базовый номер продукта | NVMYS2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 27A (Ta), 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 60µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-1023, 4-LFPAK | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2100 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 68W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPC100N04S51R2ATMA1Infineon Technologies