IPC100N04S51R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
НОВА часть #:
312-2282433-IPC100N04S51R9ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPC100N04S51R9ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-34 | |
| Базовый номер продукта | IPC100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.4V @ 50µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3770 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 100W (Tc) | |
| Другие имена | IPC100N04S51R9ATMA1TR SP001360564 IPC100N04S51R9ATMA1CT IPC100N04S51R9ATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BZT52C15TQ-7-FDiodes Incorporated
BUK7Y3R5-40E,115Nexperia USA Inc.
IPC100N04S51R2ATMA1Infineon Technologies- IPC100N04S51R7ATMA1Infineon Technologies
- IPC100N04S52R8ATMA1Infineon Technologies
- IPC100N04S5L1R1ATMA1Infineon Technologies
- IPC100N04S5L1R9ATMA1Infineon Technologies
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon Technologies- IPC100N04S5L2R6ATMA1Infineon Technologies
STL140N4F7AGSTMicroelectronics
