IRFL024NTRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

НОВА часть #:

312-2274943-IRFL024NTRPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFL024NTRPBF

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223
Базовый номер продукта	IRFL024
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	18.3 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	55 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	400 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1W (Ta)
Другие имена	IRFL024NTRPBFDKR SP001575806 IRFL024NTRPBF-ND IRFL024NTRPBFCT IRFL024NTRPBFTR