IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
НОВА часть #:
312-2285528-IRFL4105TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFL4105TRPBF
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 | |
| Базовый номер продукта | IRFL4105 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 660 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | IRFL4105TRPBF-ND IRFL4105TRPBFTR SP001551996 IRFL4105TRPBFCT INFIRFIRFL4105TRPBF 2156-IRFL4105TRPBFINF IRFL4105TRPBFDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFL014TRPBFVishay Siliconix- IRLL2705TRPBFInfineon Technologies
- IRFL024NTRPBFInfineon Technologies
DMN6068SE-13Diodes Incorporated
