IMBF170R650M1XTMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7
Базовый номер продукта	IMBF170
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	CoolSiC™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	12V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 1.5A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.7V @ 1.7mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	8 nC @ 12 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)	+20V, -10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1700 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	422 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	88W (Tc)
Другие имена	448-IMBF170R650M1XTMA1CT 448-IMBF170R650M1XTMA1TR 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR SP002739686

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!