IRF7855TRPBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
НОВА часть #:
312-2280909-IRF7855TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF7855TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO | |
| Базовый номер продукта | IRF7855 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.9V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1560 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) | |
| Другие имена | SP001555708 IRF7855TRPBF-ND IRF7855TRPBFTR IRF7855TRPBFDKR IRF7855TRPBFCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
1N5819HW-7-FDiodes Incorporated
FDS5672onsemi
IS61WV51232BLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IRF7855PBFInternational Rectifier
IPB020N10N5LFATMA1Infineon Technologies
LM2901DR2Gonsemi
IRF7403TRPBFInfineon Technologies
SN74LVC1GU04DCKRTexas Instruments
MMBT2222ALT1Gonsemi
AD8031BRZ-REEL7Analog Devices Inc.
