DMN62D0SFD-7
MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2265069-DMN62D0SFD-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN62D0SFD-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 540mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1212-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN62 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 540mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-UDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 30.2 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 430mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN62D0SFD-7DICT DMN62D0SFD-7DITR DMN62D0SFD-7DIDKR DMN62D0SFD7 |
In stock Нужно больше?
0,06610 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN2450UFD-7Diodes Incorporated
DMN61D9UWQ-13Diodes Incorporated- DMN62D1LFD-7Diodes Incorporated
BZT52C5V1LP-7Diodes Incorporated
DMN61D8L-7Diodes Incorporated- DMN62D0LFD-7Diodes Incorporated