FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
НОВА часть #:
312-2290539-FQD19N10TM
Производитель:
Номер детали производителя:
FQD19N10TM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FQD19N10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 15.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 780 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Другие имена | FQD19N10TM-ND 2156-FQD19N10TM-OS FQD19N10TMCT FQD19N10TMDKR FQD19N10TMTR FAIFSCFQD19N10TM |
In stock Нужно больше?
0,88940 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies
STD10NF10T4STMicroelectronics
NTD6416ANLT4Gonsemi- IRLR3410TRPBFInfineon Technologies
