NTD6416ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
НОВА часть #:
312-2280571-NTD6416ANLT4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTD6416ANLT4G
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | NTD6416 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 19A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 71W (Tc) | |
| Другие имена | NTD6416ANLT4GOSTR NTD6416ANLT4GOSCT 2156-NTD6416ANLT4G-OS ONSONSNTD6416ANLT4G NTD6416ANLT4G-ND NTD6416ANLT4GOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTD6415ANLT4Gonsemi
FQD19N10TMonsemi
BAT46JFILMSTMicroelectronics