SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
НОВА часть #:
312-2264996-SCT20N120
Производитель:
Номер детали производителя:
SCT20N120
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | HiP247™ | |
| Базовый номер продукта | SCT20 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 45 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +25V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 650 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 175W (Tc) | |
| Другие имена | 497-15170 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMW120R220M1HXKSA1Infineon Technologies
SCT10N120HSTMicroelectronics- IMW120R030M1HXKSA1Infineon Technologies
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies
SCT20N120HSTMicroelectronics
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor
NTH4L040N120SC1onsemi- G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
SCT20N120AGSTMicroelectronics