SCT20N120H
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
НОВА часть #:
312-2299441-SCT20N120H
Производитель:
Номер детали производителя:
SCT20N120H
Стандартный пакет:
1,000
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2Pak-2 | |
| Базовый номер продукта | SCT20 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 45 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | +25V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 650 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 175W (Tc) | |
| Другие имена | 497-SCT20N120HCT SCT20N120H-ND 497-SCT20N120HTR 497-SCT20N120HDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCT10N120HSTMicroelectronics
SCT20N120STMicroelectronics