SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
НОВА часть #:
312-2288076-SI4455DY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4455DY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 150 V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4455 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1190 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.9W (Tc) | |
| Другие имена | SI4455DY-T1-GE3TR SI4455DY-T1-GE3-ND SI4455DY-T1-GE3DKR SI4455DY-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4455DY-T1-E3Vishay Siliconix
AD8606ARZ-REELAnalog Devices Inc.
FDMC86259Ponsemi
REF2025AISDDCRTexas Instruments
MMBT5551-7-FDiodes Incorporated
DMP6110SSS-13Diodes Incorporated
FDS86267PFairchild Semiconductor
MCQ05P10Y-TPMicro Commercial Co
SISS73DN-T1-GE3Vishay Siliconix
