SISS73DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
НОВА часть #:
312-2281362-SISS73DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS73DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 150 V 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SISS73 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 719 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | |
| Другие имена | SISS73DN-T1-GE3DKR SISS73DN-T1-GE3CT SISS73DN-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI7317DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SISS71DN-T1-GE3Vishay Siliconix
DRV8353FSRTARTexas Instruments
INA280A2IDCKRTexas Instruments- SISS72DN-T1-GE3Vishay Siliconix
IRLML0100TRPBFInfineon Technologies
LM393LVQDRQ1Texas Instruments- TLV7031DCKRTexas Instruments
FDMC86261Ponsemi- FDMC86262Ponsemi
BD48L33G-TLRohm Semiconductor
MIC5280YMEMicrel Inc.
