SISS94DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
НОВА часть #:
312-2285518-SISS94DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS94DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 5.4A (Ta), 19.5A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SISS94 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.4A (Ta), 19.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 5.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SISS94DN-T1-GE3TR 742-SISS94DN-T1-GE3DKR 742-SISS94DN-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
TPN1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SIR624DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SISS92DN-T1-GE3Vishay Siliconix
V3P22-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
STB33N65M2STMicroelectronics