NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
НОВА часть #:
312-2290452-NTMS10P02R2G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMS10P02R2G
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | NTMS10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3640 pF @ 16 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) | |
| Другие имена | NTMS10P02R2GOSCT 2156-NTMS10P02R2G-OS NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOSDKR NTMS10P02R2GOSTR =NTMS10P02R2GOSCT-ND NTMS10P02R2GOS-ND ONSONSNTMS10P02R2G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IS31FL3265B-ZLS4-TRLumissil Microsystems
LTC6915CGN#PBFAnalog Devices Inc.
NTMS5P02R2Gonsemi
FDS6576onsemi
1N4002Gonsemi
SI4403DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
MCM1567-TPMicro Commercial Co- SI4463BDY-T1-E3Vishay Siliconix
- SI4463CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4463DYFairchild Semiconductor
DMP2022LSS-13Diodes Incorporated- FDS6575onsemi
AO4425Alpha & Omega Semiconductor Inc.
