SI4463CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
НОВА часть #:
312-2282426-SI4463CDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4463CDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.7W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4463 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.6A (Ta), 49A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 162 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4250 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Ta), 5W (Tc) | |
| Другие имена | SI4463CDY-T1-GE3DKR SI4463CDY-T1-GE3CT SI4463CDY-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BZG03C56-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SI4467DYFairchild Semiconductor
FDS4465onsemi- SI4425DYFairchild Semiconductor
SS8050-GComchip Technology
SI4435FDY-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7997DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SI4128DY-T1-E3Vishay Siliconix
BSV52,215Nexperia USA Inc.
AO4425Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IRF7425TRPBFInfineon Technologies
