BUK9Y19-100E,115
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2287951-BUK9Y19-100E,115
Производитель:
Номер детали производителя:
BUK9Y19-100E,115
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | BUK9Y19 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 56A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 39 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5085 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 167W (Tc) | |
| Другие имена | 568-11546-2 934066629115 568-11546-1-ND 1727-1855-2 568-11546-2-ND 1727-1855-1 BUK9Y19-100E,115-ND 568-11546-1 568-11546-6-ND 568-11546-6 1727-1855-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PSMN5R6-60YLXNexperia USA Inc.
SMUN5214T1Gonsemi
LMV321AIDBVRTexas Instruments
MCP6401T-H/OTMicrochip Technology
MM3Z6V2ST1Gonsemi
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BD750L5FP-CE2Rohm Semiconductor
SML-LXT0805GW-TRLumex Opto/Components Inc.- PSMN011-100YSFXNexperia USA Inc.
- BUK9Y22-100E,115Nexperia USA Inc.
NCV7344D13R2Gonsemi
MMBT3904LT3Gonsemi
MMSZ33T1Gonsemi- BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.
