PSMN5R6-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2275057-PSMN5R6-60YLX
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN5R6-60YLX
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN5R6 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 66.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5026 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 167W (Tc) | |
| Другие имена | 934069895115 568-13047-1-ND 568-13047-2-ND 568-13047-1 1727-2596-6 568-13047-6-ND PSMN5R6-60YLX-ND 1727-2596-1 1727-2596-2 PSMN5R6-60YL,115 568-13047-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SMUN5214T1Gonsemi
LMV321AIDBVRTexas Instruments- UCC27537DBVRTexas Instruments
MCP6401T-H/OTMicrochip Technology
MM3Z6V2ST1Gonsemi
74LVC08AS14-13Diodes Incorporated
BD750L5FP-CE2Rohm Semiconductor- UCC27537DBVTTexas Instruments
PSMN014-40YS,115Nexperia USA Inc.- BUK9Y19-100E,115Nexperia USA Inc.
MMSZ33T1Gonsemi
74AHC1G00QW5-7Diodes Incorporated
