SI2323CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2285631-SI2323CDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2323CDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2323 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1090 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Другие имена | SI2323CDS-T1-GE3TR SI2323CDS-T1-GE3DKR SI2323CDS-T1-GE3CT SI2323CDST1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ST25DV04K-JFR6D3STMicroelectronics
SI2301CDS-T1-E3Vishay Siliconix
AO3415AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
LTST-C191KSKTLite-On Inc.
2450AT18D0100EJohanson Technology Inc.
SQJA62EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SI2323DS-T1-E3Vishay Siliconix
IRLML2402TRPBFInfineon Technologies- SI2323DS-T1-GE3Vishay Siliconix