SQJA62EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2287897-SQJA62EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJA62EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJA62 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5100 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | SQJA62EP-T1_GE3CT SQJA62EP-T1_GE3TR SQJA62EP-T1_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIR186DP-T1-RE3Vishay Siliconix
ZTL431AFTADiodes Incorporated
TSM8588CS RLGTaiwan Semiconductor Corporation
SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix
CSD18543Q3ATexas Instruments
ZXT849KTCDiodes Incorporated- SIR670DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SI2323CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
5988070107FDialight